半导体ETF三连涨，板块涨幅居前

11月29日，沪深两市早盘窄幅震荡，芯片、半导体等板块涨幅居前，其中半导体ETF（512480）盘中涨超1%，连续三个交易日反弹。东微半导涨超过12%、龙芯中科、天岳先进等涨超6%，韦尔股份(603501)、中微公司(688012)涨超3%，半导体ETF（512480）前十大重仓股多只飘红。

英伟达与SK海力士或将共同设计芯片

据消息，英伟达与SK海力士或将共同设计芯片，并委托台积电生产，HBM4最早或将于2026年开始量产。HBM2023年在DRAM市场收入中的份额预计将超过10%，预计到2027年或将接近20%。

长鑫存储推出LPDDR5系列产品

长鑫存储官网发布消息称，正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。

存储、封装为代表的半导体周期复苏主线

券商研报表示，半导体大厂持续布局先进封装，产业链相关公司有望受益并迎来加速成长。

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